今天，兆驰半导体、旭显改日接踵揭…晓最新Micro LED专利音讯，涉及低△电流密度下芯 片的本能晋升，升高芯片内量子效劳，以及晋升巨量搬动效劳。

　　邦度常识产权局音讯显示，江西○兆驰半▽导体有限公司 申■ 请一 △项名为“一种○蓝光Micro- LED的外延构造及其制备法子”的专利，公然号 CN118825157A，申请日期为2024年9月。

　　该○专利△可○○ 下降…孕 育I○ nGaN量子阱时的=应力，明显改革大量子阱发光层的质料，同时升高P型半导 体层的空 穴注…入效=劳，从而升高Mic ro LED芯片正在低使命电流密度下=的▽光效、良率等本能，合用于小尺寸、低电 流以及低功率的蓝光□◁Micro ○LED。

　　专利摘要显示，出现涉及半导体资料的时间界限，公然了一种蓝光 Mi c…r■o‑LED的外延构 造及其制备法子，外延构造征求衬=底COB小间距LED显示屏Bsports必一体育COB小间距LED显示屏户外全彩LED显示屏透明全彩！，正在○所述衬底上递次层叠的缓冲层，低温应力开释层，大量子阱发光层，电子劝止层和P型半导体层，所述大量▽子阱发光层征求由下至上递次层叠 孕育的第一浅蓝光大量子阱子层第二浅蓝光 大量子阱子层第三蓝 光大量子阱子层和第四浅蓝光= 大量子阱子层，个中每层子层均为▽InG○aN大量子阱层与大量子垒层的超晶格构造。

　　其它，兆驰半导体还申请一项名为“一种Micro-LED的外○◁ 延 构 造及其制○备法子”的专利，公然号■CN118825159A，申请日期为2024年9月。

　　该= 专利通过正 在正在N▽ ○型掺杂△Ga○N层和大量子阱层之间树立插入层，能够下降孕育 大 量子阱层时○ 的应力，并下降大量子阱层的位错密度，升高大量子阱层的晶体质料必一体育官网下载，从而升高Micro◁ ◁L E D的内量子效劳，下降使命电压，晋升发光亮度。

　　专利摘要显示，出现涉及半导体资料的时间界限，公然了□▽一种Micro○ LED的外延构造及 其制★备法子，所述外延构造征求衬底，正在 ○所 述衬底上递次层叠的 缓冲层，未掺杂的GaN△层透后LED全彩 显示屏，N型掺杂 GaN层插入◁层大量子阱层，电子劝止层，P型掺杂GaN层和接触层；个中，所述插入层征○求于所述N型掺 ■杂★▽G aN 层上递 次树立的◁Al N★层、图形化的GaSb层、Al金属层和InGaN层。

　　原料显示，兆驰 股份◁于○2017年正在江西南昌创设兆驰半★导△体，目征候驰半导体是环球单体□…周围最大的…数字智能LED芯片分娩基地，也是兆驰股份LED营业板块最 重要的营收来历，其产销周围到达了110万片晶圆 （□4寸片）/月。

　　邦度常识产权局音讯显示COB小间距LE○D显示屏，旭显改日（北京）科技有限公○司博得◁一项名为“一种MicroLED芯片巨量搬动装备”的专利，授权 通告号C□N221885132U，申请日期为2024年2月画面豆剖器。专利○ 可通■ 过正在焊盘身分□○树立凹▽陷区，并运用磁性吸附的道 理 杀青Micro LED芯片的迅速定位 装置，牢靠性高。

　　专利摘要显示，本适用新型涉及显示时间界限，简直涉及一种Micr o LED芯片 巨量搬动装备。一种Micro LED芯片巨量搬动装备征求Micro LED芯片、搬动基板和摇动单位；搬动基板上树立有焊盘身分，焊盘身分处树立有凹陷区；焊盘△身分的 个中一个电极具△有磁性；Micro LED芯■片两 个电 极○具有磁性，个中透=后★LE= D全彩□显示屏< /□st rong>，Mi cro LED芯片与搬动基板一样界说的电极上具有的磁=性与焊盘身分上的磁性相反；摇动单位与搬动基板传动 连结=并用于摇动搬动基○板，使Mi cro LED芯片落于凹 陷区。